三星和台积电批准在2028年至2030年间采用ASML的High-NA EUV设备

据彭博社报道，Samsung 和 TSMC 计划分别于 2028 年和 2030 年开始采用 ASML 的 High NA 极紫外光刻机进行大规模生产。Samsung、TSMC 和 Intel 已同意将光掩模从 6 英寸升级至 12 英寸，ASML 和 TSMC 的目标是在 2031 年前建成测试产线，并于 2033 年投入生产。每台 High NA EUV 系统的成本约为 4 亿美元。