三星与 ASML 合作开发 12 英寸 EUV 光掩模，目标于 2028 年用于 DRAM 生产

据《首尔经济日报》报道，Samsung 和 ASML 于 9 月 9 日宣布合作开发高 NA EUV 光掩模技术。该合作涉及将现行的 6 英寸光掩模标准升级为 12 英寸版本。Samsung 计划从 2028 年开始将高 NA EUV 技术部署于 DRAM 生产，随后扩展至其晶圆代工业务的 1.4 纳米先进逻辑工艺。