据彭博社报道,美光科技于 7 月 4 日为其位于日本广岛的工厂破土动工,投资 1.5 万亿日元(93 亿美元)进行扩建,以生产包括用于 AI 处理器的高带宽内存(HBM)在内的先进存储芯片。日本经济产业省为该项目拨款高达 5000 亿日元(31 亿美元),日本政府总计承诺向美光提供约 7750 亿日元(48 亿美元)的支持。
新工厂预计将于 2028 年夏季左右开始出货,生产将专注于使用极紫外(EUV)技术制造先进 DRAM 和 HBM。

据彭博社报道,美光科技于 7 月 4 日为其位于日本广岛的工厂破土动工,投资 1.5 万亿日元(93 亿美元)进行扩建,以生产包括用于 AI 处理器的高带宽内存(HBM)在内的先进存储芯片。日本经济产业省为该项目拨款高达 5000 亿日元(31 亿美元),日本政府总计承诺向美光提供约 7750 亿日元(48 亿美元)的支持。
新工厂预计将于 2028 年夏季左右开始出货,生产将专注于使用极紫外(EUV)技术制造先进 DRAM 和 HBM。
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