Kioxia 开始向 AI 数据中心出货 332 层 3D NAND，位密度提升 59%

据《日本时报》报道，铠侠已开始向AI数据中心运营商发送其332层第10代3D NAND闪存芯片样品。新芯片的位密度比第八代产品提高59%，数据传输速度达到4.8 Gb/s，比上一代快约33%，同时输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。铠侠在其位于岩手县北上市的Fab2工厂生产这些芯片，该工厂于2025年9月开始运营。该公司预计2026年上半年将实现可观的生产量。