ASML 计划到 2031 年推出采用更大掩模的新一代 EUV 光刻系统，目标是在 2033 年投入生产

据 ChainCatcher 报道，ASML 计划在 2031 年前开发采用更大掩模尺寸的下一代 EUV 光刻系统，目标是在 2033 年实现全面量产部署。该公司旨在解决当前高数值孔径 EUV 系统的产能限制问题，这些系统受较小掩模尺寸的限制。目前的 EUV 光刻设备最多可生产面积约为 800 平方毫米的芯片。

ASML 将与包括 Nvidia 在内的主要客户合作，为先进数据中心芯片制造量身定制解决方案。