据《朝鲜日报》报道，SK 海力士于 2026 年第二季度开始供应 1c DRAM，并预计到第四季度产量将达到总产量的约 34%，高于第二季度的 13%。这家韩国芯片制造商的 1c 工艺预计将在 2027 年第一季度超过其较旧的 1b 工艺。随着该技术进入客户送样阶段，SK 海力士正使用 1c 节点生产 HBM4E 高带宽内存模块。据 TrendForce 报道，三星于 2026 年 5 月 29 日开始出货 HBM4E 样品，而 SK 海力士计划于 2026 年 6 月和 7 月向主要客户交付样品。