据公司公告，TSMC 已完成 A16 工艺（1.6 纳米级）的开发与验证，并计划于 2026 年第四季度量产。A16 采用超级电源轨（SPR）背面供电技术，将电源布线与信号布线分离，并将电源线移至晶圆背面，以减少布线拥堵，提升效率和性能。与增强版 N2P 2 纳米工艺相比，在功耗相当的情况下，A16 的性能提升 8%～10%；在性能相同的情况下，功耗降低 15%～20%；芯片密度提高 8%～10%。A16 是迈向计划于 2028 年投产的 A14 工艺的中间步骤。