Kioxia 和 Samsung 在 VLSI 2026 展示了多阵列键合 NAND；Kioxia 达到 218 层，Samsung 达到 450 层

根据 SemiAnalysis，在 VLSI 2026 会议上，Kioxia 和 Samsung 都展示了多阵列混合键合 NAND 架构，作为实现超过 1,000 层密度的途径。Kioxia 的多堆栈单元阵列 (MSA) 样品包括双 218 层（2 堆栈）机械样品和用于 QLC 可靠性验证的双 17 层电气样品。Samsung 的单元多重键合 (CMB) 样品更进一步，包括双 450 层（3 堆栈）机械样品和双 155 层电气样品。SemiAnalysis 指出，在当前产能受限的环境下，行业的优先事项应集中在增加每刻蚀层的字线数量，而不是追求更高的堆栈，以避免因良率损失导致每座晶圆厂的位输出减少。