Gate News消息，4月20日——印度在奥里萨邦启动了其首座先进3D芯片封装设施的奠基仪式，总投资为194亿卢比 (约 $209 百万)。该工厂位于焦德哈的信息谷，并由英特尔资本和洛克希德·马丁创投支持，目标是在2028年8月实现商业量产，并在2030年8月实现全规模产出。

美国一家芯片封装公司3D Glass Solutions 正在开发该设施，以专注于先进芯片封装以及嵌入式玻璃基板ATMP (封装、测试和封装)。该工厂将采用510毫米 x 515毫米的大尺寸面板级加工方式，突破公司在美国新墨西哥州阿尔伯克基现有的150毫米和200毫米晶圆工艺。玻璃基板作为构建和连接芯片的薄基底层，与传统材料相比可提供更优的电气性能和热稳定性，从而在诸如AI以及5G/6G网络等高频系统中减少信号损失和封装应力。

该项目已从主要芯片设计商处获得意向书和指示性承诺。Marvell承诺每年约70,000张面板，而英特尔承诺每年超过10,000张面板。合计的采购意向超过计划产能的5,800张面板/月 (约69,600张/年)。该设施旨在服务数据中心、高性能计算、AI应用以及国防电子，同时帮助印度在先进封装材料和3D异构集成 (3DHI)技术方面建立国内能力。