今天，SK 海力士在印第安纳州西拉斐特为其斥资 40 亿美元建设的先进存储器封装工厂举行了动工仪式，标志着美国重建国内半导体制造能力的努力取得了关键进展。该工厂将成为 SK 海力士在美国的首个高带宽存储器（HBM）封装中心，预计于 2028 年 10 月开始洁净室运营，并计划于 2029 年下半年实现量产。该项目获得了美国《芯片与科学法案》的支持。