SK 海力士开始引入 PSM 材料，以提升下一代 DRAM 的 EUV 光刻技术

据 ZDNET 报道，SK 海力士已开始引入 PSM（相移掩模材料），以提升其极紫外（EUV）光刻性能。该公司于去年首次部署 High-NA EUV 设备，此后加快了下一代 DRAM 生产技术的开发。